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GT100HF120T1VH IGBT module

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GT100HF120T1VH IGBT module

Riassunto del catalogo prodotti

Caratteristiche del Modulo IGBT:

Valutazione del cortocircuito di 10μs.
Basse perdite di commutazione.
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 1.98V @ IC = 100A, TC=25℃.
Test RBSOA al 100% (2×Ic).
Bassa induttanza parassita.
Terminali di potenza HI-REL.
Senza piombo, conforme ai requisiti RoHS.

Applicazioni:

Inverter industriali.
Applicazioni servo.
Veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi (EHV).
Riscaldamento a induzione.

Valutazioni Massime Assolute (TC = 25℃ se non diversamente specificato):

Tensione di blocco collettore-emettitore (VCES): 1200 V.
Tensione gate-emettitore (VGES): ±20 V.
Corrente continua del collettore (IC): 100 A a TC = 80℃, 180 A a TC = 25℃.
Corrente di picco del collettore ripetitiva (ICM): 200 A a TJ = 125℃.
Corrente continua diretta del diodo (IF): 100 A a TJ = 125℃.
Corrente di picco FWD ripetitiva (IFM): 200 A.
Dissipazione massima di potenza per gamba (PD): 880 W a TC = 25℃.
Temperatura massima di giunzione (TJ): 175 ℃.
Temperatura di funzionamento (TJ op): -40 +150 ℃.
Temperatura di stoccaggio (Tstg): -40 +125 ℃.
Tensione di isolamento (Viso): 2500 V.

Caratteristiche Elettriche dell'IGBT (TJ = 25℃ se non diversamente specificato):

Tensione di rottura collettore-emettitore (V(BR)CES): 1200 V.
Corrente di perdita collettore-emettitore (ICES): 400 μA a TJ = 25℃, 1 mA a TJ = 125℃.
Corrente di perdita gate-emettitore (IGES): 300 nA a TJ = 25℃, 600 nA a TJ = 125℃.
Tensione di soglia gate-emettitore (VGE(th)): 4.5 - 6.5 V.
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 1.98 - 2.50 V.

Caratteristiche Dinamiche:

Tempo di ritardo all'accensione (td(on)): 240 ns.
Tempo di salita (tr): 140 ns.
Tempo di ritardo allo spegnimento (td(off)): 420 ns.
Tempo di discesa (tf): 170 ns.
Perdite di commutazione all'accensione (Eon): 9.1 mJ.
Perdite di commutazione allo spegnimento (Eoff): 5.5 mJ.
Perdite di commutazione totali (Ets): 14.6 mJ.

Caratteristiche Elettriche del Diodo FWD (TJ = 25℃ se non diversamente specificato):

Tensione diretta (VFM): 2.2 - 2.4 V.
Tempo di recupero inverso (trr): 270 - 420 ns.
Corrente di picco di recupero inverso (Irr): 40 - 50 A.
Carica di recupero inverso (Qrr): 4.7 - 10.6 µC.

Caratteristiche di Resistenza Termica:

Resistenza giunzione-custodia (IGBT, per gamba) (RθJC): 0.17 ℃/W.
Resistenza giunzione-custodia (Diodo, per gamba) (RθJC): 0.27 ℃/W.
Resistenza custodia-dissipatore (RθCS): 0.10 ℃/W.

Grafici e Diagrammi:

Fig.1: Corrente di carico tipica vs. Frequenza.
Fig.2: Caratteristiche di tensione di saturazione tipiche.
Fig.3: Caratteristiche di uscita tipiche.
Fig.4: Caratteristiche dirette del FWD.
Fig.5: Caratteristiche di capacità.
Fig.6: Perdite di commutazione tipiche vs. Corrente del collettore.
Fig.7: Perdite di commutazione tipiche vs. Resistenza del gate.
Fig.8: Area di funzionamento sicuro in polarizzazione inversa (RBSOA).

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Estratti del catalogo

GT100HF120T1VH IGBT Module Features Short Circuit Rated 10μs Low Switching Loss Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 1.98V @ IC = 100A , TC=25℃ 100% RBSOA Test (2×Ic) Low Stray Inductance HI-REL Power Terminals Lead Free, Compliant With RoHS Requirement Applications Industrial Inverters Servo Applications EV And EHV Induction Heating Internal Circuit Diagram Absolute Maximum RatingsTC = 25℃ unless otherwise specified Symbol Description Value Units VCES Collector-Emitter Blocking Voltage 1200 V VGES Gate-Emitter Voltage ±20 V IC Continuous Collector Current TC = 80℃ 100 A TC = 25℃ 180 A ICM(1) Peak Collector Current Repetitive TJ = 125℃ 200 A IF Diode Continuous Forward Current TJ = 125℃ 100 A IFM Peak FWD Current Repetitive 200 A 880 W 175 ℃ TC = 25℃ TJmax=175℃ PD Maximum Power Dissipation Per Leg TJ Maximum Junction Temperature TJ op Operation Temperature -40 +150 ℃ Tstg Storage Temperature -40 +125 ℃ Viso Isolation Voltage(All Terminals Shorted) 2500 V Mounting Torque Power Terminals Screw:M5 f = 50Hz, 1minute 5.0 N·m Mounting Screw:M6 6.0 N·m Notes : (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by max. junction temperature

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Electrical Characteristics of IGBT TJ = 25℃ unless otherwise specified Symbol Description Test Conditions Min. Typ. Max. Units OFF Characteristics V(BR)CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE = 0V, IC = 1mA 1200 V ICES Collector-Emitter Leakage Current VGE = 0V, VCE = VCES TJ = 25℃ 400 μA TJ = 125℃ 1 mA IGES Gate-Emitter Leakage Current VGE = VGES, VCE = 0V TJ = 25℃ 300 nA TJ = 125℃ 600 nA 6.5 V ON Characteristics VGE(th) Gate-Emitter Threshold Voltage IC = 1 mA, VCE = VGE VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 100A , VGE = 15V 4.5 5.2 TJ = 25℃ 1.98 2.20 V TJ = 125℃ 2.27 2.50...

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Electrical Characteristics of FWDTJ = 25℃ unless otherwise specified Symbol Description VFM Reverse Recovery Time Irr Peak Reverse Recovery Current Qrr IF100A, di/dt =650A/μs, Vrr = 600V, VGE = -15V Reverse Recovery Charge Typ. Max. TJ = 25℃ 2.2 2.4 TJ = 125℃ 2.4 TJ = 25℃ IF=100A, VGE = 0V Forward Voltage trr Test conditions Min. 270 TJ = 125℃ 420 TJ = 25℃ 40 TJ = 125℃ 50 TJ = 25℃ V ns A 4.7 TJ = 125℃ Units 10.6 µC Thermal Resistance Characteristics Symbol Description Typ. Max. Units RθJC Junction-To-Case (IGBT Part, Per Leg) 0.17 ℃/W RθJC Junction-To-Case (Diode Part, Per Leg) 0.27 ℃/W RθCS...

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Brand Logo Date Code Part Number Circuit Diagram

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