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GT300HF120T2VH IGBT module

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GT300HF120T2VH IGBT module

Riassunto del catalogo prodotti

Caratteristiche Principali:

Tempo di cortocircuito: 10μs
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) = 2.00V @ IC = 300A, TC=25℃
IGBT a trincea con basse perdite di commutazione
Test RBSOA al 100% (2×Ic)
Bassa induttanza parassita
Terminali di potenza ad alta affidabilità
Senza piombo, conforme ai requisiti ROHS

Applicazioni:

Inverter industriali
Applicazioni servo
Veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi (EHV)

Valutazioni Massime Assolute (TC = 25℃ se non specificato diversamente):

Tensione di blocco collettore-emettitore (VCES): 1200 V
Tensione gate-emettitore (VGES): ±20 V
Corrente continua del collettore (IC): 300 A a TC = 80℃, 450 A a TC = 25℃
Corrente di picco del collettore ripetitiva (ICM): 600 A a TJ = 125℃
Corrente continua diretta del diodo (IF): 300 A a TJ = 125℃
Tempo di resistenza al cortocircuito (tSC): >10 μs a TJ = 150℃
Dissipazione massima di potenza per gamba (PD): 2140 W a TC = 25℃
Temperatura di giunzione operativa (TJ): -40 +175 ℃
Tensione di isolamento (Viso): 2500 V

Caratteristiche Elettriche dell'IGBT (TJ = 25℃ se non specificato diversamente):

Tensione di soglia gate-emettitore (VGE(th)): 4.5 - 6.5 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)): 2.00 - 2.48 V
Capacitanza di ingresso (Cies): 42.4 nF
Perdite di commutazione totali (Ets): 45.4 mJ a TJ = 25℃, 62.0 mJ a TJ = 125℃

Caratteristiche Elettriche del Diodo Anti-parallelo (FWD):

Tensione diretta (VFM): 2.1 - 2.3 V
Tempo di recupero inverso (trr): 200 - 320 ns
Carica di recupero inverso (Qrr): 13.6 - 27.4 µC

Caratteristiche di Resistenza Termica:

Resistenza giunzione-custodia (RθJC) per IGBT: 0.07 ℃/W
Resistenza giunzione-custodia (RθJC) per diodo: 0.10 ℃/W

Grafici e Diagrammi:

Fig.1: Corrente di carico tipica vs. frequenza
Fig.2: Caratteristiche di tensione di saturazione tipiche
Fig.3: Caratteristiche di uscita tipiche
Fig.4: Caratteristiche dirette del FWD
Fig.5: Caratteristiche di capacità
Fig.6 e Fig.7: Perdite di commutazione tipiche vs. corrente del collettore e resistenza del gate
Fig.8: Area di funzionamento sicuro in polarizzazione inversa (RBSOA)

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